Країни G7 подвоять зусилля, щоб позбавити Росію компонентів для ракет

81% іноземних компонентів у російських ракетах вироблено в США

22:54, 19 червня 2023

Посли країн «Групи семи» (G7) прокоментували останні ракетні атаки російських військ по українських містах.

У своїй заяві від 19 червня, посли країн G7 висловили підтримку усім українцям, які переживають постійну загрозу і руйнування від ракетних атак Росії.

«Ми подвоюємо наші зусилля, щоб позбавити Росію компонентів, які вона використовує для ударів по цивільному населенню та інфраструктурі в Україні», – сказано в заяві послів G7.

Нагадаємо, 19 червня президент України Володимир Зеленський і прем’єр-міністр Великої Британії Ріші Сунак провели розмову, під час якої український президент розповів про те, що Росія змогла відновити виробництво крилатих ракет. Своєю чергою група Єрмака-Макфола, яка займається підготовкою санкцій, повідомила, що Росія використовує для виробництва ракет електронні компоненти, вироблені в США, Швейцарії, Німеччині та Японії. Утім, саме на Сполучені Штати припадає 81% такої мікроелектроніки.

Зокрема, За інформацією групи Єрмака-Макфола, у складі крилатих ракет повітряного базування Х-101 міститься щонайменше 53 типи ЕКБ (мікросхеми, чипи тощо) виробництва іноземних компаній. Це компоненти таких компаній, як STMicroelectronics (Швейцарія), Vicor (США), XILINX (США), Intel Corporation (США), Texas Instruments (США), ZILOG (США), Maxim Integrated (США) та Cypress Semiconductor (США).

Для виробництва крилатих ракет морського базування 3М-14 “Калібр” використовується щонайменше 45 типів ЕКБ іноземного виробництва. Балістичні ракети 9М723 та крилаті ракети 9М728/9М729 зі складу комплексу «Іскандер» оснащуються як мінімум 15 та 32 типами іноземної ЕКБ відповідно. У складі аеробалістичних ракет Х-47М2 «Кинджал» використовується не менш ніж 48 іноземних компонентів, а в російській ракеті «Торнадо-С», зокрема в головній частині, виявили чип, виготовлений всесвітньо відомою американською компанією Intel.

Переважну більшість іноземної електронної компонентної бази, яка використовується Росією для виробництва ракет, вироблено в США – 81%. Друга найбільша частка після США – в електронних компонентів, вироблених у Швейцарії (8%). По 3,5% – у Німеччини та Японії.